In2O3纳米线相关论文
本论文使用简单易行的热蒸发法、利用自行组装的实验装置,较系统地研究了金属氧化物In2O3、SnO2、Bi2O3纳米线及掺锡氧化铟纳米线......
In2O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限......
期刊
采用物理气相沉积法，以纯铟粒为原料，在980℃下Si（100）基片上通过改变气流成分制备了一系列氧化锢纳米线，并采用扫描电子显微镜、X射线......
文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线，制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管，并研究了其电输运特......
由于一维半导体纳米材料独特的物理、化学性质,其在透明电极、光电子器件、气敏传感器、逻辑电路和太阳能电池等诸多领域呈现出广......
半导体光电催化材料成本低廉,环境友好,可以直接把太阳能转化为化学能存储起来,是解决全球能源危机的首选材料。光电极中的半导体......
